AgilentLCR電橋4279A 1MHz C-V表
在測(cè)量半導(dǎo)體的電容和偏置電壓特性方面，是提高測(cè)量質(zhì)量和吞吐量的*佳解決方案。Agilent 4279A在掃描直流偏置電壓的同時(shí)，可測(cè)量0.00001pF至1280.00pF范圍的電容，基本精度為0.1%，顯示分辨率為6位。因?yàn)槠秒妷翰淮_定度很低，所以在+/-38V范圍內(nèi)，電壓精度達(dá)0.1%的內(nèi)部可編程直流偏置掃描源可確保非常少的測(cè)量錯(cuò)誤。這使Agilent 4279A成為了**表征和測(cè)試變?nèi)荻O管、MOS二極管等的器件理想工具。測(cè)量時(shí)間具有三種可選模式：10ms、20ms和30ms/meas，以達(dá)到*大生產(chǎn)效率。Agilent 4279A的快速量程選擇和高速GP-IB數(shù)據(jù)傳輸能力可以縮短測(cè)試時(shí)間。自動(dòng)偏置極性控制特性有助于為被測(cè)件快速選擇正確的極性偏置電壓。這種新功能簡(jiǎn)化了輸入/輸出檢查中的手動(dòng)采樣測(cè)試，并為自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)提供了簡(jiǎn)單的極性控制方法。
主要技術(shù)指標(biāo)
用于晶片摻雜的C-V測(cè)量
變?nèi)荻O管的C-V表征和分類。
射頻混頻器和轉(zhuǎn)換二極管的電容測(cè)試。
通過(guò)進(jìn)廠檢驗(yàn)的應(yīng)用直流偏置測(cè)試電容器。
測(cè)量時(shí)間：10ms/20ms/30ms
測(cè)量精度：0.1%（20ms）
內(nèi)部直流偏置：0至+/-38V，0.1%可編程掃描
測(cè)量范圍：0.00001pF至1280pF

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