二手Agilent 安捷倫LCR電橋4279A, 1MHz C-V表在測量半導(dǎo)體的電容和偏置電壓特性方面,是提高測量質(zhì)量和吞吐量的*佳解決方案。Agilent 4279A在掃描直流偏置電壓的同時(shí),可測量0.00001pF至1280.00pF范圍的電容,基本精度為0.1%,顯示分辨率為6位。因?yàn)槠秒妷翰淮_定度很低,所以在+/-38V范圍內(nèi),電壓精度達(dá)0.1%的內(nèi)部可編程直流偏置掃描源可確保非常少的測量錯(cuò)誤。這使Agilent 4279A成為了**表征和測試變?nèi)荻O管、MOS二極管等的器件理想工具。測量時(shí)間具有三種可選模式:10ms、20ms和30ms/meas,以達(dá)到*大生產(chǎn)效率。Agilent 4279A的快速量程選擇和高速GP-IB數(shù)據(jù)傳輸能力可以縮短測試時(shí)間。自動(dòng)偏置極性控制特性有助于為被測件快速選擇正確的極性偏置電壓。這種新功能簡化了輸入/輸出檢查中的手動(dòng)采樣測試,并為自動(dòng)測試系統(tǒng)提供了簡單的極性控制方法。 主要技術(shù)指標(biāo) 用于晶片摻雜的C-V測量 變?nèi)荻O管的C-V表征和分類。 射頻混頻器和轉(zhuǎn)換二極管的電容測試。 通過進(jìn)廠檢驗(yàn)的應(yīng)用直流偏置測試電容器。 測量時(shí)間:10ms/20ms/30ms 測量精度:0.1%(20ms) 內(nèi)部直流偏置:0至+/-38V,0.1%可編程掃描 測量范圍:0.00001pF至1280pF
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